HA-LFS6014B强强甩卖

HA-LFS6014B强强甩卖

第5代A系列IGBT模块
性能特点
采用CSTBTTM硅片技术
饱和压、短路承受能力强、驱动功率小
比同等级其他沟槽型IGBT电流输出能力高10%，在相同输出电流时ΔT(j-f)低15%
成本的封装
内置导热性能优异的氮化铝(AlN)绝缘基层，热阻小
模块内部寄生电感小
功率循环能力显著

应用领域
适合中、低端变频器产品设计
第5代NF系列IGBT模块
性能特点
采用低损耗CSTBTTM硅片技术
LPT结构用于1200V模块，更加适合于并联使用
额定电流定义比市场上同类产品高一个等级
外形尺寸与H系列IGBT完全兼容
内置导热性能优异的氮化铝(AlN)绝缘基层，热阻小
通过底板和基板间焊锡的厚度大大了温度循环能力ΔTc
高功率循环能力
应用领域
通用变频器，伺服驱动器，UPS，特种电源等
208A11、101A04、TLD378A06、352A70、1630-06C、GK291D20、4106-03A、117B39、623C00、1502A02FG1KPSIS、2308-01A、625B32、2303-01A、740B02、357C73、1221-01A、3713B1150G、109B02、353B16、355B33、117B44、422E54、5308D-03A、138A、2560、1502B02GL15V50GPSI/20、204C、641B02、086C03、483C15、601A12、208A45、3711B1150G、109C11、393B05、355B34、138A10、422E55、5308D-04A、138A01、426B31、1502B02GL400BARG、205C、641A02、086C04、483C30、601A21、208C01、3713B1110G、109C12、350D02、356A01、111A26、422E65/A、5309C-01A、138A02、2520、1502B02HG100PSIG、206C、641B10、086D05、483C50、601A22、208A35208A13、101A06、356A15、352A72、1631-06C、377A12、4107-02A、117B42、612A01、1502A02FG2KPSIG、2308-03A、625B61、2508-03A、RH240A02、3701D1FB3G、1303-02A

第5代NX系列IGBT模块
性能特点
采用化CSTBTTM硅片技术
有CIB、7单元、2单元和1单元四种拓扑结构
内部集成NTC测温电阻
全系列共享同一封装平台
耐功率循环和热循环能力强
具有竞争力的性价比
有条件接受客户定制
应用领域
通用变频器等交流电动机驱动应用
第5代NFH系列IGBT模块
性能特点
采用CSTBTTM硅片技术，实现开关速度控制的化
饱和压于业界同类产品
续流二极管：超高速恢复特性，极低拖尾电流
开关可达60kHz
模块内部寄生电感低
应用领域:
变频焊接设备等中高频开关应用
第5代NFM系列IGBT模块
性能特点
采用CSTBTTM硅片技术，实现开关速度控制的化
饱和压于业界同类产品
续流二极管：超高速恢复特性，极低拖尾电流
开关可达30kHz
模块内部寄生电感低

应用领域
变频焊接设备等中高频开关应用
3711B1110G、111A21、352B10、356A02、137B22A、422E66/A、5309C-02A、138A05、2570、1502B03EZ500PSIG、207C、641A10、086D20、484B02、601A31、208B01、3711B1130G、111A22、TLD356A02、356A12、117B67、427A03、5310C-01A、138A06、376B02、1502B03FJ100PSIG、208A11、641B11、086D50、484B06、601A32、208C02
第5代MPD系列IGBT模块
性能特点
的CSTBTTM硅片技术带来：
杰出的短路鲁棒性 - 了栅极电容 - 低VCE(sat) Vs. Eoff
新的紧凑型封装
良好的匹配冷却
多孔型端子使得阻抗更低，实现更可靠的长期电气连接
端子孔径与安装定位孔径一致
不同高度的DC端子――直接连接层压式母线棒
应用领域
大电机驱动，风力发电，大功率UPS等
第6/6.1代NX系列IGBT模块
性能特点
采用第6代IGBT硅片技术，损耗低
二极管采用第6代LPT硅片技术，正向导通压
硅片结温可高达175°C
硅片运行温度可达150°C
内部集成NTC测温电阻
全系列共享同一封装平台
有条件接受客户定制

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